| 과제목적분류 | - | 소속 | 기타 - 기타 |
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| 과제명 | 국문 | Ion-cut에 의한 GOI(GaAs-on-insulator) 웨이퍼 제조기술 개발 | ||
| 영문 | Development of GOI(GaAs-on-insulator) wafer fabrication technique by ion-cut process | |||
| 연구기간 | 2005.07.02 ~ 2008.03.31 | |||
| 연구비 | 950,000,000원 | |||
| 연구책임자 | 우형주 | |||
| 연구내용 | 연구목표 | - Ion-cut을 이용한 화합물 반도체(GaAs) 박막 제조 공정 개발 - 1단계 연구성과 실용화 연구 |
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| 연구내용 | - 수소이온주입 및 GaAs 박리기술 개발 - GOI 웨이퍼 제조기술 개발 및 주문형 SOI웨이퍼 제조기술 실용화 - 주문형 GOI 웨이퍼 제조기술 개발 |
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| 기대성과 | ||||
| 연구성과 | 논문(0건) | |||
| 특허(0건) | ||||
| 보고서(0건) | ||||