| 과제목적분류 | - | 소속 | 기타 - 기타 |
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| 과제명 | 국문 | σ-Level Purity 제어기술 | ||
| 영문 | Development of σ-Level Purity Control Technology | |||
| 연구기간 | 2007.06.01 ~ 2011.05.31 | |||
| 연구비 | 2,280,000,000원 | |||
| 연구책임자 | 최국선 | |||
| 연구내용 | 연구목표 | (1) 4N급(99.99%) 동으로부터 총량 순도 9N급(99.9999999%, 단 O, C, N, H, S, P는 제외) 순도의 초고순도 동 제조기술 개발 (2) RRR = 50,000 이상, 가스 불순물 (O, C, N, H, S, P) 총량 1 ppm 이하 제어 기술 개발 (3) LRS (Low Resistivity Single Crystal Copper) 제조 및 LRS 선재 미세가공기술 개발 |
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| 연구내용 | (연구목표와 동일) | |||
| 기대성과 | ||||
| 연구성과 | 논문(0건) | |||
| 특허(0건) | ||||
| 보고서(0건) | ||||