| 과제목적분류 | - | 소속 | 기타 - 기타 |
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| 과제명 | 국문 | SiLM 영상소자 제작을 위한 대면적 SOI 박막의 다층 전이기술 개발 | ||
| 영문 | Development of large area and multi layer SOI technique for SiLM imaging device | |||
| 연구기간 | 2007.06.01 ~ 2010.02.28 | |||
| 연구비 | 140,000,000원 | |||
| 연구책임자 | 우형주 | |||
| 연구내용 | 연구목표 | SiLM 영상소자 제작을 위한 대면적 SOI 박막의 다층 전이기술 개발 및 실용화 | ||
| 연구내용 | - SiLM 영상소자 제작을 위한 다양한 두께 (400 nm ~ 4000 nm)의 대면적 (8" 급) SOI 박막 제조 공정 확립 - 이종 산화층 간의 직접 접합 및 이온절단 공정 개발 - SOI 박막의 다층 (4층 이상) 전이 기술 개발 |
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| 기대성과 | ||||
| 연구성과 | 논문(0건) | |||
| 특허(0건) | ||||
| 보고서(0건) | ||||