![[파요] 패러디](/upload/popupzone/a1/171256432054000.png)
| 과제목적분류 | 산업생산 및 기술 | 소속 | 자원활용연구본부 - 자원소재연구센터 |
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| 과제명 | 국문 | 고이동도 p-형 반도체 나노입자 박막기반 CMOS 집적소자 개발 | ||
| 영문 | Development of p-type semiconductor nanoparticle thin film-based CMOS integrated device | |||
| 연구기간 | 2022.03.01 ~ 2026.02.28 | |||
| 연구비 | 361,679,000원 | |||
| 연구책임자 | 최지혁 | |||
| 연구내용 | 연구목표 | / 본 연구의 최종목표는 맞춤형 표면화학제어(modifications of the surface chemistry)를 개발함으로써 높은 이동도를 갖는 p-형 반도체 나노입자 박막을 제조하는 기술을 개발하고자 한다. 또한, 표면화학제어 후 압력소결공정(pressure-sintering process)을 통해 나노결정에서 박막, 그리고 더 나아가 bulk 고체를 제조하고 결정립 경계를 제어함으로써 새로운 차원의 소재를 제조하는 공정 기술을 개발 하고자 함. 궁극적으로는 p-형/n-형 나노입자 박막을 이용하여 고성능 웨어러블 집적회로 구현을 목표로 함. |
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| 연구내용 | / 친환경(Cd, Pb-free) 반도체 나노입자 합성 및 박막제조 개발 / 원격 도핑(remote-doping)법을 통한 p-형 반도체 나노결박 박막 제조기술 개발 / 소결법을 통한 나노입자 박막 내 입계거동 제어연구 / p-형, n-형 반도체 나노입자 박막 기반 응용소자 제조기술 |
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| 기대성과 | / 세계 최초의 고이동도 반도체 나노입자 기반 COMS 집적소자는 큰 센세이션을 일으킬 것임. 도핑에 있어서 나노의 이점을 극대화 한 개념으로써 bulk 소재의 도핑 한계를 극복할 수 있음. 특히 제안된 고이동도의 p-형 반도체 박막은 전자소자 측면에서 차세대 성장동력으로써 미래 디스플레이 산업의 핵심 요소기술로 활용될 것으로 기대됨. 전하 이동도가 향상된 p-형 반도체 나노입자 박막 기술개발을 통해 플렉서블 일렉트로닉스의 기술개발을 촉진 시킬 것으로 예상되며 1년 내에 선진국의 대비 80% 기술력을 확보하고, 3년뒤에는 선진국과 비교우위의 기술력을 보유할 것임. | |||
| 연구성과 | 논문(0건) | |||
| 특허(0건) | ||||
| 보고서(0건) | ||||
